پیام فرستادن

FDD16AN08A0

سازنده:
واحد واحد
توضیحات:
ماسفت N-CH 75V 50A D-PAK
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
رده محصولات:
ماسفت
Vgs (حداکثر):
± 20 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
9A (Ta)، 50A (Tc)
@ تعداد:
0
نوع FET:
کانال N
نوع نصب:
ارتفاع سطح
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
47nC @ 10V
تولید کننده:
نصف
حداقل تعداد:
2500
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن):
6 ولت، 10 ولت
سهام کارخانه:
0
دمای کار:
-55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ)
ویژگی FET:
-
سری:
UltraFET™
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:
1874pF @ 25V
بسته دستگاه تامین کننده:
DPAK
وضعیت قطعه:
فعال
بسته بندی:
نوار و حلقه (TR)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:
16 میلی اهم @ 50 آمپر، 10 ولت
اتلاف نیرو (حداکثر):
135 وات (Tc)
بسته بندی / کیس:
TO-252-3، DPak (2 Lead + Tab)، SC-63
تکنولوژی:
ماسفت (اکسید فلز)
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:
4 ولت @ 250 µA
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):
75 ولت
مقدمه
FDD16AN08A0، از onsemi، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی، که در قطعات اصلی و جدید است.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: