NTF2955T1G
سازنده:
واحد واحد
توضیحات:
ماسفت -60 ولت 2.6 آمپر کانال P
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
قطبیت ترانزیستور:
کانال پی
تکنولوژی:
سی
شناسه - جریان تخلیه مداوم:
- 2.6 A
سبک نصب:
SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی:
- 55 درجه سانتیگراد
بسته بندی / کیس:
SOT-223-3
حداکثر دمای عملیاتی:
+ 175 درجه سانتیگراد
حالت کانال:
تقویت
Vds - ولتاژ شکست منبع تخلیه:
- 60 ولت
بسته بندی:
قرقره
رده محصولات:
ماسفت
تعداد کانال ها:
1 کانال
Vgs - ولتاژ گیت-منبع:
20 ولت
Rds On - مقاومت در برابر منبع تخلیه:
145 میلی اهم
تولید کننده:
نصف
مقدمه
NTF2955T1G، از onsemi، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند،که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
Related Products
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
FQP50N06
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
|
|
|
FQP50N06 |
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: