پیام فرستادن

FDP20N50

سازنده:
واحد واحد
توضیحات:
MOSFET N-CH 500V 20A TO-220
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
رده محصولات:
ماسفت
Vgs (حداکثر):
± 30 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
20A (Tc)
@ تعداد:
0
نوع FET:
کانال N
نوع نصب:
از طریق سوراخ
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
59.5nC @ 10V
تولید کننده:
نصف
حداقل تعداد:
1
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن):
10 ولت
سهام کارخانه:
0
دمای کار:
-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
ویژگی FET:
-
سری:
UniFET™
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:
3120pF @ 25V
بسته دستگاه تامین کننده:
TO-220AB
وضعیت قطعه:
فعال
بسته بندی:
لوله
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:
230 میلی اهم @ 10 آمپر، 10 ولت
اتلاف نیرو (حداکثر):
250 وات (Tc)
بسته بندی / کیس:
TO-220-3
تکنولوژی:
ماسفت (اکسید فلز)
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:
5 ولت @ 250 µA
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):
500 ولت
مقدمه
FDP20N50، از onsemi، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند، که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: