پیام فرستادن

FQD3P50TM

سازنده:
واحد واحد
توضیحات:
ماسفت P-CH 500V 2.1A DPAK
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
رده محصولات:
ماسفت
Vgs (حداکثر):
± 30 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
2.1A (Tc)
@ تعداد:
0
نوع FET:
کانال پی
نوع نصب:
ارتفاع سطح
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
23nC @ 10V
تولید کننده:
نصف
حداقل تعداد:
2500
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن):
10 ولت
سهام کارخانه:
0
دمای کار:
-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
ویژگی FET:
-
سری:
QFET®
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:
660pF @ 25V
بسته دستگاه تامین کننده:
دی پاک
وضعیت قطعه:
فعال
بسته بندی:
نوار و حلقه (TR)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:
4.9 اهم @ 1.05A، 10V
اتلاف نیرو (حداکثر):
2.5 وات (Ta)، 50 وات (Tc)
بسته بندی / کیس:
TO-252-3، DPak (2 Lead + Tab)، SC-63
تکنولوژی:
ماسفت (اکسید فلز)
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:
5 ولت @ 250 µA
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):
500 ولت
مقدمه
FQD3P50TM، از onsemi، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند،که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: