پیام فرستادن

FDMS037N08B

سازنده:
واحد واحد
توضیحات:
ماسفت N-CH 75V 100A 8QFN
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
رده محصولات:
ماسفت
Vgs (حداکثر):
± 20 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
100A (Tc)
@ تعداد:
0
نوع FET:
کانال N
نوع نصب:
ارتفاع سطح
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
100nC @ 10V
تولید کننده:
نصف
حداقل تعداد:
3000
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن):
10 ولت
سهام کارخانه:
0
دمای کار:
-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
ویژگی FET:
-
سری:
PowerTrench®
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:
5915pF @ 37.5V
بسته دستگاه تامین کننده:
8-PQFN (5x6)
وضعیت قطعه:
فعال
بسته بندی:
نوار و حلقه (TR)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:
3.7 میلی اهم @ 50 آمپر، 10 ولت
اتلاف نیرو (حداکثر):
830 میلی‌وات (Ta)، 104.2 وات (Tc)
بسته بندی / کیس:
8-PowerTDFN
تکنولوژی:
ماسفت (اکسید فلز)
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:
4.5 ولت @ 250 µA
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):
75 ولت
مقدمه
FDMS037N08B، از onsemi، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند،که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: