پیام فرستادن

FQD12N20LTM

سازنده:
واحد واحد
توضیحات:
ماسفت N-CH 200V 9A DPAK
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
رده محصولات:
ماسفت
Vgs (حداکثر):
± 20 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
9A (Tc)
@ تعداد:
0
نوع FET:
کانال N
نوع نصب:
ارتفاع سطح
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
21nC @ 5V
تولید کننده:
نصف
حداقل تعداد:
2500
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن):
5 ولت، 10 ولت
سهام کارخانه:
5000
دمای کار:
-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
ویژگی FET:
-
سری:
QFET®
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:
1080pF @ 25V
بسته دستگاه تامین کننده:
دی پاک
وضعیت قطعه:
فعال
بسته بندی:
نوار و حلقه (TR)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:
280 میلی اهم @ 4.5 آمپر، 10 ولت
اتلاف نیرو (حداکثر):
2.5 وات (Ta)، 55 وات (Tc)
بسته بندی / کیس:
TO-252-3، DPak (2 Lead + Tab)، SC-63
تکنولوژی:
ماسفت (اکسید فلز)
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:
2 ولت @ 250 µA
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):
200 ولت
مقدمه
FQD12N20LTM، از onsemi، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند،که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: