FDS6930B
سازنده:
واحد واحد
توضیحات:
ماسفت 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
بسته دستگاه تامین کننده:
8-SOIC
رده محصولات:
ماسفت
سهام کارخانه:
0
حداقل تعداد:
2500
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:
412pF @ 15V
بسته بندی / کیس:
8-SOIC (0.154 اینچ عرض 3.90mm)
وضعیت قطعه:
فعال
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
5.5A
بسته بندی:
نوار و حلقه (TR)
@ تعداد:
0
دمای کار:
-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع FET:
2 کانال N (دوگانه)
ویژگی FET:
دروازه سطح منطقی
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):
30 ولت
نوع نصب:
ارتفاع سطح
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
3.8nC @ 5V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:
38 میلی اهم @ 5.5 آمپر، 10 ولت
قدرت - حداکثر:
900 میلی وات
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:
3 ولت @ 250 µA
سری:
PowerTrench®
تولید کننده:
نصف
مقدمه
FDS6930B، از onsemi، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی، که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
محصولات مرتبط
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: