پیام فرستادن

FQT3P20TF

سازنده:
واحد واحد
توضیحات:
MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
رده محصولات:
ماسفت
Vgs (حداکثر):
± 30 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
670 میلی آمپر (TC)
@ تعداد:
0
نوع FET:
کانال پی
نوع نصب:
ارتفاع سطح
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
8nC @ 10V
تولید کننده:
نصف
حداقل تعداد:
4000
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن):
10 ولت
سهام کارخانه:
0
دمای کار:
-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
ویژگی FET:
-
سری:
QFET®
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:
250pF @ 25V
بسته دستگاه تامین کننده:
SOT-223-4
وضعیت قطعه:
فعال
بسته بندی:
نوار و حلقه (TR)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:
2.7 اهم @ 335 میلی آمپر، 10 ولت
اتلاف نیرو (حداکثر):
2.5 وات (Tc)
بسته بندی / کیس:
TO-261-4، TO-261AA
تکنولوژی:
ماسفت (اکسید فلز)
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:
5 ولت @ 250 µA
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):
200 ولت
مقدمه
FQT3P20TF، از onsemi، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند،که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: