FQB27P06TM
سازنده:
واحد واحد
توضیحات:
ماسفت P-CH 60V 27A D2PAK
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
رده محصولات:
ماسفت
Vgs (حداکثر):
± 25 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
27A (Tc)
@ تعداد:
0
نوع FET:
کانال پی
نوع نصب:
ارتفاع سطح
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
43nC @ 10V
تولید کننده:
نصف
حداقل تعداد:
800
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن):
10 ولت
سهام کارخانه:
0
دمای کار:
-55 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد (TJ)
ویژگی FET:
-
سری:
QFET®
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:
1400pF @ 25V
بسته دستگاه تامین کننده:
D²PAK (TO-263AB)
وضعیت قطعه:
فعال
بسته بندی:
نوار و حلقه (TR)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:
70 میلی اهم @ 13.5 آمپر، 10 ولت
اتلاف نیرو (حداکثر):
3.75 وات (Ta)، 120 وات (Tc)
بسته بندی / کیس:
TO-263-3، D²Pak (2 سرنخ + برگه)، TO-263AB
تکنولوژی:
ماسفت (اکسید فلز)
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:
4 ولت @ 250 µA
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):
۶۰ ولت
مقدمه
FQB27P06TM، از onsemi، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم دارای قیمت رقابتی در بازار جهانی است، که در قطعات اصلی و جدید است.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
محصولات مرتبط
NTMFS4C022NT1G
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
2N7002WT1G
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
FQP13N50C
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
NTMFS5C430NLT1G
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
NTF2955T1G
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
FDS3992
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
ATP106-TL-H
MOSFET SWITCHING DEVICE
BVSS123LT1G
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
FDS6576
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C022NT1G |
MOSFET TRENCH 6 30V NCH
|
|
|
|
2N7002WT1G |
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 6.8V LO C
|
|
|
|
FQP13N50C |
MOSFET 500V N-Ch Q-FET advance C-Series
|
|
|
|
NTMFS5C430NLT1G |
MOSFET NFET SO8FL 40V 200A
|
|
|
|
NTF2955T1G |
MOSFET -60V 2.6A P-Channel
|
|
|
|
FDS3992 |
MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8-SO
|
|
|
|
FCP22N60N |
MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
|
|
|
|
ATP106-TL-H |
MOSFET SWITCHING DEVICE
|
|
|
|
BVSS123LT1G |
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
|
|
|
|
FDS6576 |
MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: