پیام فرستادن

FDD7N20TM

سازنده:
واحد واحد
توضیحات:
ماسفت N-CH 200V 5A D-PAK
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
رده محصولات:
ماسفت
Vgs (حداکثر):
± 30 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
5A (Tc)
@ تعداد:
0
نوع FET:
کانال N
نوع نصب:
ارتفاع سطح
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
6.7nC @ 10V
تولید کننده:
نصف
حداقل تعداد:
2500
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن):
10 ولت
سهام کارخانه:
5000
دمای کار:
-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
ویژگی FET:
-
سری:
UniFET™
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:
250pF @ 25V
بسته دستگاه تامین کننده:
دی پاک
وضعیت قطعه:
فعال
بسته بندی:
نوار و حلقه (TR)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:
690 میلی اهم @ 2.5 آمپر، 10 ولت
اتلاف نیرو (حداکثر):
43 وات (Tc)
بسته بندی / کیس:
TO-252-3، DPak (2 Lead + Tab)، SC-63
تکنولوژی:
ماسفت (اکسید فلز)
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:
5 ولت @ 250 µA
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):
200 ولت
مقدمه
FDD7N20TM، از onsemi، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم دارای قیمت رقابتی در بازار جهانی است،که در قطعات اصلی و جدید است.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: