پیام فرستادن

BVSS138LT1G

سازنده:
واحد واحد
توضیحات:
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT-23-3
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
رده محصولات:
ماسفت
Vgs (حداکثر):
± 20 ولت
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
200 میلی آمپر (Ta)
@ تعداد:
0
نوع FET:
کانال N
نوع نصب:
ارتفاع سطح
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
-
تولید کننده:
نصف
حداقل تعداد:
3000
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن):
5 ولت
سهام کارخانه:
0
دمای کار:
-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
ویژگی FET:
-
سری:
-
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:
50pF @ 25V
بسته دستگاه تامین کننده:
SOT-23-3
وضعیت قطعه:
فعال
بسته بندی:
نوار و حلقه (TR)
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:
3.5 اهم @ 200 میلی آمپر، 5 ولت
اتلاف نیرو (حداکثر):
225mW (Ta)
بسته بندی / کیس:
TO-236-3، SC-59، SOT-23-3
تکنولوژی:
ماسفت (اکسید فلز)
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:
1.5 ولت @ 1 میلی آمپر
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):
50 ولت
مقدمه
BVSS138LT1G، از onsemi، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند،که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: