QPD1015L
سازنده:
قروو
توضیحات:
ترانزیستورهای RF JFET DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
قطبیت ترانزیستور:
کانال N
تکنولوژی:
GaN SiC
رده محصولات:
ترانزیستورهای RF JFET
سبک نصب:
پیچ
سود:
20 دسی بل
نوع ترانزیستور:
HEMT
قدرت خروجی:
70 وات
بسته بندی / کیس:
NI-360
حداکثر دمای عملیاتی:
+ 85 درجه سانتیگراد
Vds - ولتاژ شکست منبع تخلیه:
50 ولت
بسته بندی:
سینی
شناسه - جریان تخلیه مداوم:
2.5 A
Vgs - ولتاژ شکست منبع دروازه:
145 V
Pd - اتلاف نیرو:
64 وات
تولید کننده:
قروو
مقدمه
QPD1015L، از Qorvo، ترانزیستورهای RF JFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند، که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
محصولات مرتبط
T2G6000528-Q3
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
TGF2978-SM
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
T2G6001528-SG
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
QPD3601
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
TGF3015-SM
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
QPD1000
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
TGF2953
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
T2G6000528-Q3 |
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
|
|
|
|
TGF2978-SM |
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
|
|
|
|
T2G6001528-SG |
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
|
|
|
|
QPD3601 |
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
|
|
|
|
TGF3015-SM |
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
|
|
|
|
QPD1000 |
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
|
|
|
|
TGF2953 |
RF JFET Transistors DC-12GHz 12W 32V GaN P3dB @ 3GHz 41.2dBm
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: