TGF2953
مشخصات
قطبیت ترانزیستور:
کانال N
تکنولوژی:
GaN SiC
رده محصولات:
ترانزیستورهای RF JFET
سبک نصب:
SMD/SMT
سود:
18.2 دسی بل
نوع ترانزیستور:
HEMT
قدرت خروجی:
41.6 dBm
بسته بندی / کیس:
بمیر
حداکثر دمای عملیاتی:
+ 150 درجه سانتیگراد
Vds - ولتاژ شکست منبع تخلیه:
32 V
بسته بندی:
وافل
حداکثر ولتاژ دروازه تخلیه:
100 ولت
شناسه - جریان تخلیه مداوم:
820 میلی آمپر
Pd - اتلاف نیرو:
17 W
تولید کننده:
قروو
مقدمه
TGF2953، از Qorvo، ترانزیستورهای RF JFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند، که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
محصولات مرتبط

T2G6000528-Q3
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz

TGF2978-SM
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB

T2G6001528-SG
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN

QPD3601
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN

QPD1015L
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN

TGF3015-SM
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN

QPD1000
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
تصویر | قسمت # | توضیحات | |
---|---|---|---|
![]() |
T2G6000528-Q3 |
RF JFET Transistors DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz
|
|
![]() |
TGF2978-SM |
RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
|
|
![]() |
T2G6001528-SG |
RF JFET Transistors DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN
|
|
![]() |
QPD3601 |
RF JFET Transistors 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN
|
|
![]() |
QPD1015L |
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
|
|
![]() |
TGF3015-SM |
RF JFET Transistors .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
|
|
![]() |
QPD1000 |
RF JFET Transistors 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: