IXGA30N120B3
سازنده:
IXYS
توضیحات:
ترانزیستور IGBT GenX3 1200V IGBT
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
جریان نشتی گیت-امیتر:
100 نانو آمپر
رده محصولات:
ترانزیستورهای IGBT
سبک نصب:
SMD/SMT
جریان جمع کننده پیوسته در 25 درجه سانتیگراد:
60 A
Pd - اتلاف نیرو:
300 وات
کلکتور- ولتاژ امیتر VCEO Max:
1.2 کیلو ولت
بسته بندی / کیس:
TO-263-3
حداکثر دمای عملیاتی:
+ 150 درجه سانتیگراد
حداکثر ولتاژ امیتر گیت:
+/- 20 ولت
بسته بندی:
لوله
پیکربندی:
مجرد
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر:
2.96 V
تولید کننده:
IXYS
مقدمه
IXGA30N120B3، از IXYS، ترانزیستورهای IGBT است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند، که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
محصولات مرتبط
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: