IXXH60N65B4H1
سازنده:
IXYS
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
جریان نشتی گیت-امیتر:
100 نانو آمپر
رده محصولات:
ترانزیستورهای IGBT
سبک نصب:
از طریق سوراخ
جریان جمع کننده پیوسته در 25 درجه سانتیگراد:
116 الف
Pd - اتلاف نیرو:
380 وات
کلکتور- ولتاژ امیتر VCEO Max:
650 V
بسته بندی / کیس:
TO-247AD-3
حداکثر دمای عملیاتی:
+ 175 درجه سانتیگراد
حداکثر ولتاژ امیتر گیت:
20 ولت
بسته بندی:
لوله
پیکربندی:
مجرد
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر:
1.7 V
تولید کننده:
IXYS
مقدمه
IXXH60N65B4H1، از IXYS، ترانزیستورهای IGBT است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند، که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
Related Products
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: