فیلترها
فیلترها
آی سی های حافظه
| تصویر | قسمت # | توضیحات | سازنده | ذخایر | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
W25Q128BVEIG |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W29GL064CB7S |
IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W972GG6JB-3 |
آی سی DRAM 2G PARALLEL 84WBGA
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W25Q128FVFIG |
آی سی فلش 128M SPI 104MHZ 16SOIC
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
JS28F128J3F75A |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
N25Q512A13G1240E |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
N25Q128A13EF840E |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
N25Q256A13ESF40G |
آی سی فلش 256M SPI 108MHZ 16SOP2
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT41J128M16JT-125:K |
آی سی DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
W9412G6JH-4 |
آی سی DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
MT28EW512ABA1HPC-0AAT |
IC FLASH 512M PARALLEL 64LBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT25QL512ABB8E12-0SIT |
IC FLASH 512M SPI 24TPBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E |
IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
N25Q032A11ESE40G |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8SO
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E |
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
W25Q256FVEJF |
IC FLASH MEMORY 256MB
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
MT41J128M16JT-107G:K |
آی سی DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT41J256M16HA-125:E |
آی سی DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT41K128M16JT-125:K |
آی سی DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT41K512M16TNA-125:E |
آی سی DRAM 8G PARALLEL 96FBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT41K512M8RH-125:E |
آی سی DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
K4B2G1646F-BCK0 |
96FBGA با بدون سرب و بدون هالوژن
|
نیمه هادی سامسونگ
|
|
|
|
|
|
K4H511638J-LCCC |
مشخصات 512 مگابایتی C-die DDR SDRAM
|
نیمه هادی سامسونگ
|
|
|
|
|
|
K9F1G08U0E-SCB0 |
1 گیگابایت E-die NAND Flash
|
نیمه هادی سامسونگ
|
|
|
|
|
|
K4W1G1646E-HC12 |
حافظه گرافیکی
|
نیمه هادی سامسونگ
|
|
|
|
|
|
K4T1G084QF-BCF7 |
SDRAM 1 گیگابایتی F-die DDR2
|
نیمه هادی سامسونگ
|
|
|
|
|
|
K4B4G1646D-BCMA |
4 گیگابایت B-die DDR3 SDRAM Olny x16
|
نیمه هادی سامسونگ
|
|
|
|
|
|
MT48LC16M16A2P-6A:G |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2B4-6A:L |
آی سی DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT48LC8M16A2P-6A:L |
IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT41K256M16HA-125IT:E |
آی سی DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MTFC4GLGDQ-AIT |
IC FLASH 32G MMC 100LBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C |
IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT29F1G08ABAEAWP:E |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
JS28F256M29EWH |
IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E |
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT29F8G08ABACAWP-IT:C |
IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
M29W128GH7AN6E |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT41J128M16JT-093:K |
آی سی DRAM 2G PARALLEL 96FBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT41J256M16HA-093:E |
آی سی DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
N25Q032A13EF440E |
IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8PDFN
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
N25Q128A13EF740E |
IC FLASH 128M SPI 108MHZ 8VDFPN
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
PC28F320J3F75A |
IC FLASH 32M PARALLEL 64EASYBGA
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT48LC2M32B2P-6A:J |
IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT48LC32M8A2P-6A:G |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
MT48LC4M16A2P-6A:J |
آی سی DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
|
تکنولوژی میکرو
|
|
|
|
|
|
W29N01GVSIAA |
IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W25Q16CLSSIG |
آی سی فلش 16M SPI 50MHZ 8SOIC
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W25Q32FVSSIQ |
آی سی فلش 32M SPI 104MHZ 8SOIC
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W25Q128FVPIQ |
IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON
|
Winbond Electronics
|
|
|