FQA19N60
سازنده:
واحد واحد
توضیحات:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
90 nC @ 10 V
وضعیت محصول:
فعال
Mounting Type:
Through Hole
بسته بندی:
عمده
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3600 pF @ 25 V
سری:
-
Vgs (Max):
±30V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:
5 ولت @ 250 µA
Supplier Device Package:
TO-3PN
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
380mOhm @ 9.3A, 10V
Mfr:
onsemi
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Power Dissipation (Max):
300W (Tc)
Package / Case:
TO-3P-3, SC-65-3
Drain to Source Voltage (Vdss):
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
18.5A (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature:
-
مقدمه
کانال N 600 V 18.5A (Tc) 300W (Tc) از طریق سوراخ TO-3PN
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: