پیام فرستادن

IXFN32N80P

سازنده:
IXYS
توضیحات:
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
SOT-227-4, miniBLOC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
150 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
270mOhm @ 16A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
800 V
Vgs (Max):
±30V
وضعیت محصول:
فعال
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
8820 pF @ 25 V
نوع نصب:
پایه شاسی
Series:
HiPerFET™, Polar
بسته دستگاه تامین کننده:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
29A (Tc)
Power Dissipation (Max):
625W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXFN32
مقدمه
کانال N 800 V 29A (Tc) 625W (Tc) شاسی نصب SOT-227B
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: