FQP19N20C
سازنده:
واحد واحد
توضیحات:
MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
53 nC @ 10 V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:
170 میلی اهم @ 9.5 آمپر، 10 ولت
FET Type:
N-Channel
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن):
10 ولت
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
200 V
Vgs (حداکثر):
± 30 ولت
Product Status:
Obsolete
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1080 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
QFET®
Supplier Device Package:
TO-220-3
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
19A (Tc)
Power Dissipation (Max):
139W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FQP19
مقدمه
کانال N 200 V 19A (Tc) 139W (Tc) از طریق سوراخ TO-220-3
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: