پیام فرستادن

IXTH80N65X2

سازنده:
IXYS
توضیحات:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
ویژگی FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 4mA
دمای کار:
-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
144 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
40mOhm @ 40A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
650 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
7753 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
Ultra X2
Supplier Device Package:
TO-247 (IXTH)
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
80A (Tc)
Power Dissipation (Max):
890W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTH80
مقدمه
کانال N 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) از طریق سوراخ TO-247 (IXTH)
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: