پیام فرستادن

IXFX32N100Q3

سازنده:
IXYS
توضیحات:
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
6.5V @ 8mA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3 Variant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
195 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
320mOhm @ 16A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±30V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9940 pF @ 25 V
نوع نصب:
از طریق سوراخ
Series:
HiPerFET™, Q3 Class
بسته دستگاه تامین کننده:
PLUS247™-3
Mfr:
IXYS
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
32A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1250W (Tc)
تکنولوژی:
ماسفت (اکسید فلز)
Base Product Number:
IXFX32
مقدمه
کانال N 1000 V 32A (Tc) 1250W (Tc) از طریق سوراخ PLUS247TM-3
محصولات مرتبط
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: