پیام فرستادن

SIR876ADP-T1-GE3

سازنده:
ویشای سیلیکونیکس
توضیحات:
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.8V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
49 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
10.8mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
وضعیت محصول:
فعال
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1630 pF @ 50 V
نوع نصب:
ارتفاع سطح
Series:
TrenchFET®
بسته دستگاه تامین کننده:
PowerPAK® SO-8
Mfr:
Vishay Siliconix
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
40A (Tc)
Power Dissipation (Max):
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SIR876
مقدمه
کانال N 100 V 40A (Tc) 5W (Ta) ، 62.5W (Tc) پاورپاک® SO-8
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: