پیام فرستادن

DMN2009LSS-13

سازنده:
دیود های متداول
توضیحات:
MOSFET N-CH 20V 12A 8SOP
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
58.3 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8mOhm @ 12A, 10V
نوع FET:
کانال N
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
2.5V, 10V
بسته بندی:
نوار و رول (TR) نوار برش (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (حداکثر):
± 12 ولت
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2555 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
8-SO
Mfr:
Diodes Incorporated
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
12A (Ta)
Power Dissipation (Max):
2W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
DMN2009
مقدمه
کانال N 20 V 12A (Ta) 2W (Ta) سطح نصب 8-SO
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: