IXTA1N100
سازنده:
IXYS
توضیحات:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 25µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
14.5 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11Ohm @ 1A, 10V
FET Type:
N-Channel
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن):
10 ولت
Package:
Tube
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):
1000 V
Vgs (Max):
±30V
وضعیت محصول:
فعال
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
400 pF @ 25 V
نوع نصب:
ارتفاع سطح
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-263AA
Mfr:
IXYS
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1.5A (Tc)
Power Dissipation (Max):
54W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IXTA1
مقدمه
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) سطح نصب TO-263AA
محصولات مرتبط
IXFK120N20
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
IXFK27N80
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
IXFH20N80Q
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
IXFH15N80
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
IXFH26N50Q
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
IXFH12N90
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
IXFH13N50
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
IXFN32N120P
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
IXFN32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
IXFN36N100
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
IXFK120N20 |
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA
|
|
|
|
IXFK27N80 |
MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
|
|
|
|
IXFH20N80Q |
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
|
|
|
|
IXFH15N80 |
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
|
|
|
|
IXFH26N50Q |
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
|
|
|
|
IXFH12N90 |
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
|
|
|
|
IXFH13N50 |
MOSFET N-CH 500V 13A TO247AD
|
|
|
|
IXFN32N120P |
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
|
|
|
|
IXFN32N100Q3 |
MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
|
|
|
|
IXFN36N100 |
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: