IRFP360PBF
سازنده:
ویشای سیلیکونیکس
توضیحات:
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FETs، MOSFETs Single FET، MOSFET
FET Feature:
-
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:
4 ولت @ 250 µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
210 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
200mOhm @ 14A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
400 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
4500 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247AC
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
23A (Tc)
Power Dissipation (Max):
280W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFP360
مقدمه
کانال N 400 V 23A (Tc) 280W (Tc) از طریق سوراخ TO-247AC
محصولات مرتبط
2N7002E-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SI7148DP-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
SIR880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
|
|
|
|
SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
|
|
|
|
SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
|
|
|
|
SI7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
IRFP21N60LPBF |
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
|
|
|
|
SIR880ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
|
|
|
|
SIJ478DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
|
|
|
|
SISA72DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: