IRL510PBF
سازنده:
ویشای سیلیکونیکس
توضیحات:
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
6.1 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
540mOhm @ 3.4A, 5V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4V, 5V
Package:
Tube
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):
100 ولت
Vgs (Max):
±10V
وضعیت محصول:
فعال
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
250 pF @ 25 V
نوع نصب:
از طریق سوراخ
Series:
-
بسته دستگاه تامین کننده:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
43W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRL510
مقدمه
کانال N 100 V 5.6A (Tc) 43W (Tc) از طریق سوراخ TO-220AB
محصولات مرتبط
2N7002E-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SI7148DP-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
SIR880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
|
|
|
|
SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
|
|
|
|
SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
|
|
|
|
SI7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
IRFP21N60LPBF |
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
|
|
|
|
SIR880ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
|
|
|
|
SIJ478DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
|
|
|
|
SISA72DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: