SI4896DY-T1-E3
سازنده:
ویشای سیلیکونیکس
توضیحات:
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
41 nC @ 10 V
FET Feature:
-
وضعیت محصول:
فعال
Mounting Type:
Surface Mount
بسته بندی:
نوار و رول (TR)
نوار برش (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package:
8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
16.5mOhm @ 10A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.56W (Ta)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6.7A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4896
مقدمه
کانال N 80 V 6.7A (Ta) 1.56W (Ta) سطح نصب 8-SOIC
محصولات مرتبط
2N7002E-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
SI7148DP-T1-E3
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
SI7157DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
SIR880ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
SIJ478DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
SISA72DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
2N7002E-T1-E3 |
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3
|
|
|
|
SIR872ADP-T1-RE3 |
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
|
|
|
|
SI7148DP-T1-E3 |
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
|
|
|
|
SI7157DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
IRFP21N60LPBF |
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
|
|
|
|
SIR880ADP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
SIR873DP-T1-GE3 |
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
|
|
|
|
SIJ478DP-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
|
|
|
|
SUD50N04-8M8P-4GE3 |
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
|
|
|
|
SISA72DN-T1-GE3 |
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: