پیام فرستادن

SI4459ADY-T1-GE3

سازنده:
ویشای سیلیکونیکس
توضیحات:
MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
195 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
5mOhm @ 15A, 10V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
وضعیت محصول:
فعال
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
6000 pF @ 15 V
نوع نصب:
ارتفاع سطح
Series:
TrenchFET®
بسته دستگاه تامین کننده:
8-SOIC
Mfr:
Vishay Siliconix
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
29A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4459
مقدمه
P-Channel 30 V 29A (Tc) 3.5W (Ta) ، 7.8W (Tc) سطح نصب 8-SOIC
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: