JANTXV1N5806US
سازنده:
تکنولوژی میکروچیپ
توضیحات:
DIODE GEN PURP 150V 1A D-5A
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته دیودها یکسو کننده ها تک دیودها
وضعیت محصول:
فعال
جریان - نشت معکوس @ Vr:
1 µA @ 150 V
نوع نصب:
ارتفاع سطح
ولتاژ - جلو (Vf) (حداکثر) @ اگر:
875 mV @ 1 A
بسته بندی:
عمده
سری:
نظامی، MIL-PRF-19500/477
ظرفیت @ Vr، F:
25pF @ 10V، 1MHz
بسته دستگاه تامین کننده:
D-5A
زمان بازیابی معکوس (trr):
25 ns
مفر:
فناوری ریزتراشه
تکنولوژی:
استاندارد
دمای عملیاتی - اتصال:
-65 درجه سانتی گراد ~ 175 درجه سانتی گراد
بسته بندی / کیس:
SQ-MELF، A
ولتاژ - معکوس DC (Vr) (حداکثر):
150 ولت
فعلی - میانگین اصلاح شده (Io):
1A
سرعت:
بازیابی سریع =< 500ns، > 200mA (Io)
شماره محصول پایه:
1N5806
مقدمه
دیود 150 V 1A سطح نصب D-5A
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: