مشخصات
قطبیت ترانزیستور:
کانال پی
تکنولوژی:
سی
شناسه - جریان تخلیه مداوم:
- 33.5 A
سبک نصب:
SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی:
- 55 درجه سانتیگراد
بسته بندی / کیس:
TO-263-3
حداکثر دمای عملیاتی:
+ 175 درجه سانتیگراد
حالت کانال:
تقویت
Vds - ولتاژ شکست منبع تخلیه:
- 100 ولت
بسته بندی:
قرقره
رده محصولات:
ماسفت
تعداد کانال ها:
1 کانال
Vgs - ولتاژ گیت-منبع:
25 V
Rds On - مقاومت در برابر منبع تخلیه:
60 میلی اهم
تولید کننده:
نیمه هادی فیرچایلد
مقدمه
FQB34P10TM، از Fairchild Semiconductor، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارد، که در قطعات اصلی و جدید است.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
Related Products

FDP3632
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V

NDS9948
MOSFET Dual PCh PowerTrench

FQB30N06LTM
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

BSS138K
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET

FQP14N30
MOSFET 300V N-Channel QFET

FQPF2N60C
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET

FDPF10N60NZ
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II

FDMS3500
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench

FDMS8460
MOSFET 40V N-Channel Power Trench

FDMS86200
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
تصویر | قسمت # | توضیحات | |
---|---|---|---|
![]() |
FDP3632 |
MOSFET 100V 80a .9 Ohms/VGS=1V
|
|
![]() |
NDS9948 |
MOSFET Dual PCh PowerTrench
|
|
![]() |
FQB30N06LTM |
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
|
|
![]() |
BSS138K |
MOSFET 50V NCh Logic Level Enhancement Mode FET
|
|
![]() |
FQP14N30 |
MOSFET 300V N-Channel QFET
|
|
![]() |
FQPF2N60C |
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
|
|
![]() |
FDPF10N60NZ |
MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
|
|
![]() |
FDMS3500 |
MOSFET 75V N-Channel PowerTrench
|
|
![]() |
FDMS8460 |
MOSFET 40V N-Channel Power Trench
|
|
![]() |
FDMS86200 |
MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: