BSC0906NS
مشخصات
قطبیت ترانزیستور:
کانال N
تکنولوژی:
سی
رده محصولات:
ماسفت
سبک نصب:
SMD/SMT
نام تجاری:
OptiMOS
حداقل دمای عملیاتی:
- 55 درجه سانتیگراد
بسته بندی / کیس:
TDSON-8
حداکثر دمای عملیاتی:
+ 150 درجه سانتیگراد
Vds - ولتاژ شکست منبع تخلیه:
30 ولت
بسته بندی:
قرقره
شناسه - جریان تخلیه مداوم:
63 الف
Rds On - مقاومت در برابر منبع تخلیه:
4.5 mOhms
تعداد کانال ها:
1 کانال
Vgs - ولتاژ گیت-منبع:
20 ولت
Qg - شارژ دروازه:
13 nC
تولید کننده:
تکنولوژی های اینفینیون
مقدمه
BSC0906NS، از Infineon Technologies، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند، که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
محصولات مرتبط

IPA60R380E6
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6

BSC039N06NS
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8

IPD75N04S4-06
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2

BSC011N03LSI
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS

IPW65R150CFD
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3

IPP60R099C6
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6

IPW65R110CFD
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2

IPL65R230C7
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7

BSZ097N10NS5
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8

BSC010N04LSI
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
تصویر | قسمت # | توضیحات | |
---|---|---|---|
![]() |
IPA60R380E6 |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
![]() |
BSC039N06NS |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
|
|
![]() |
IPD75N04S4-06 |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
![]() |
BSC011N03LSI |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
|
|
![]() |
IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
|
|
![]() |
IPP60R099C6 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
|
|
![]() |
IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
|
![]() |
IPL65R230C7 |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
![]() |
BSZ097N10NS5 |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
|
|
![]() |
BSC010N04LSI |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: