SQJ479EP-T1_GE3
مشخصات
قطبیت ترانزیستور:
کانال پی
تکنولوژی:
سی
شناسه - جریان تخلیه مداوم:
- 32 A
سبک نصب:
SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی:
- 55 درجه سانتیگراد
بسته بندی / کیس:
PowerPAK-SO-8L-4
حداکثر دمای عملیاتی:
+ 175 درجه سانتیگراد
حالت کانال:
تقویت
Vds - ولتاژ شکست منبع تخلیه:
- 80 ولت
بسته بندی:
قرقره
Vgs th - ولتاژ آستانه دروازه منبع:
- 2.5 ولت
رده محصولات:
ماسفت
Rds On - مقاومت در برابر منبع تخلیه:
27.5 میلی اهم
تعداد کانال ها:
1 کانال
Vgs - ولتاژ گیت-منبع:
+/- 20 ولت
Qg - شارژ دروازه:
150 nC
تولید کننده:
Siliconix / Vishay
مقدمه
SQJ479EP-T1_GE3، از Siliconix / Vishay، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارد، که در قطعات اصلی و جدید است.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
Related Products

SQJ974EP-T1_GE3
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SIR871DP-T1-GE3
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs

SUM70060E-GE3
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)

SIR680DP-T1-RE3
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8

SQ2361ES-T1_GE3
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SUM10250E-GE3
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs

SI7972DP-T1-GE3
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ

SIR610DP-T1-RE3
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm

SUM90P10-19L-E3
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V

SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
تصویر | قسمت # | توضیحات | |
---|---|---|---|
![]() |
SQJ974EP-T1_GE3 |
MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
![]() |
SIR871DP-T1-GE3 |
MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs
|
|
![]() |
SUM70060E-GE3 |
MOSFET 100V Vds 131A Id 0.0056Vgs Rds(On)
|
|
![]() |
SIR680DP-T1-RE3 |
MOSFET N-Channel 80V PowerPAK SO-8
|
|
![]() |
SQ2361ES-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
|
![]() |
SUM10250E-GE3 |
MOSFET N Ch 250Vds 20Vgs
|
|
![]() |
SI7972DP-T1-GE3 |
MOSFET Dual N-Ch 30V Vds 7.1nC Qg Typ
|
|
![]() |
SIR610DP-T1-RE3 |
MOSFET 200V PowerPAK SO-8 Typ Rds(on) 24mohm
|
|
![]() |
SUM90P10-19L-E3 |
MOSFET 100V 90A 375W 19mohm @ 10V
|
|
![]() |
SQJ457EP-T1_GE3 |
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: