TK4P60DB
سازنده:
توشیبا
توضیحات:
MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 80W 540pF 2.0 اهم
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
قطبیت ترانزیستور:
کانال N
تکنولوژی:
سی
رده محصولات:
ماسفت
سبک نصب:
SMD/SMT
بسته بندی / کیس:
TO-252-3
Vds - ولتاژ شکست منبع تخلیه:
600 V
بسته بندی:
قرقره
شناسه - جریان تخلیه مداوم:
3.7 A
تعداد کانال ها:
1 کانال
Rds On - مقاومت در برابر منبع تخلیه:
2 اهم
تولید کننده:
توشیبا
مقدمه
TK4P60DB، از توشیبا، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی، که در قطعات اصلی و جدید است.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
Related Products
TK20A60U
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
SSM3J328R
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
2SA1244-Y
Silicon PNP Power Transistors
TK12A60D
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
TPH1400ANH،L1Q
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
TPH4R50ANH
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
TK10A60D
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
2SK3878
Switching Regulator Applications
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
TK20A60U |
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS
|
|
|
|
SSM3J328R |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS
|
|
|
|
2SA1244-Y |
Silicon PNP Power Transistors
|
|
|
|
TK12A60D |
MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS
|
|
|
|
TPH1400ANH،L1Q |
MOSFET N-Ch 60V 42A 48W UMOSVIII 1440pF 22nC
|
|
|
|
TPH4R50ANH |
MOSFET U-MOSVIII-H 100V 93A 58nC MOSFET
|
|
|
|
TK10A60D |
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
|
|
|
|
2SK3878 |
Switching Regulator Applications
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: