SIS412DN-T1-GE3
سازنده:
نیمه هادی های ویشای
توضیحات:
ماسفت 30 ولت 12 آمپر 15.6 وات
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
بسته بندی:
قرقره
تکنولوژی:
سی
رده محصولات:
ماسفت
نام تجاری:
TrenchFET
تولید کننده:
نیمه هادی های ویشای
مقدمه
SIS412DN-T1-GE3، از Vishay Semiconductors، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند،که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
Related Products
SI2312BDS-T1-E3
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
Si1022R-T1-GE3
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
SUM110P08-11L-E3
MOSFET 80V 110A 375W
SIHG73N60E-GE3
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
SI4559ADY-T1-GE3
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
IRFPS37N50APBF
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
SIR462DP-T1-GE3
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
SI2333DS-T1-E3
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
SI2312BDS-T1-E3 |
MOSFET N-Channel 20V 3.9A
|
|
|
|
Si1022R-T1-GE3 |
MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V
|
|
|
|
SUM110P08-11L-E3 |
MOSFET 80V 110A 375W
|
|
|
|
SIHG73N60E-GE3 |
MOSFET 600V 39mOhm@10V 73A N-Ch E-SRS
|
|
|
|
SI4559ADY-T1-GE3 |
MOSFET N/P-Ch MOSFET 60V 58/120mohm @ 10V
|
|
|
|
IRFPS37N50APBF |
MOSFET N-Chan 500V 36 Amp
|
|
|
|
SI4946BEY-T1-E3 |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
|
|
|
|
SIR462DP-T1-GE3 |
MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V
|
|
|
|
SI4435DDY-T1-GE3 |
MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V
|
|
|
|
SI2333DS-T1-E3 |
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: