DMG6602SVT-7
سازنده:
دیود های متداول
توضیحات:
ماسفت N/P-CH 30V TSOT23-6
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
بسته دستگاه تامین کننده:
TSOT-23-6
رده محصولات:
ماسفت
سهام کارخانه:
0
حداقل تعداد:
3000
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds:
400pF @ 15V
بسته بندی / کیس:
SOT-23-6 نازک، TSOT-23-6
وضعیت قطعه:
فعال
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25 درجه سانتی گراد:
3.4A، 2.8A
بسته بندی:
نوار و حلقه (TR)
@ تعداد:
0
دمای کار:
-55 درجه سانتی گراد ~ 150 درجه سانتی گراد (TJ)
نوع FET:
N و P-Channel
ویژگی FET:
دروازه سطح منطقی
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss):
30 ولت
نوع نصب:
ارتفاع سطح
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs:
13nC @ 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs:
60 میلی اهم @ 3.1 آمپر، 10 ولت
قدرت - حداکثر:
840 میلی وات
Vgs(th) (حداکثر) @ ID:
2.3 ولت @ 250 µA
سری:
-
تولید کننده:
دیود های متداول
مقدمه
DMG6602SVT-7، از شرکت دیودز، MOSFET است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارد، که در قطعات اصلی و جدید است.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
محصولات مرتبط
DMG1012T-7
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
DMG2302UK-7
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
DMP2008UFG-7
MOSFET 20V P-CH MOSFET
DMP6023LFGQ-13
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
2N7002DW-7-F
MOSFET 60V 200mW
BSS138DW-7-F
MOSFET 50V 200mW
BSS138W-7-F
MOSFET 50V 200mW
DMTH6005LK3Q-13
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
BSS84-7-F
MOSFET -50V 250mW
DMN61D9UW-7
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
DMG1012T-7 |
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
|
|
|
|
DMG2302UK-7 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
|
|
|
|
DMP2008UFG-7 |
MOSFET 20V P-CH MOSFET
|
|
|
|
DMP6023LFGQ-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
|
|
|
2N7002DW-7-F |
MOSFET 60V 200mW
|
|
|
|
BSS138DW-7-F |
MOSFET 50V 200mW
|
|
|
|
BSS138W-7-F |
MOSFET 50V 200mW
|
|
|
|
DMTH6005LK3Q-13 |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
|
|
|
BSS84-7-F |
MOSFET -50V 250mW
|
|
|
|
DMN61D9UW-7 |
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: