NAND512W3A2SZA6E
سازنده:
تکنولوژی میکرو
توضیحات:
IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
تکنولوژی:
فلش - NAND
رده محصولات:
آی سی های حافظه
نوع حافظه:
غیر فرار
سهام کارخانه:
0
زمان چرخه نوشتن - ورد، صفحه:
50 ثانیه
بسته دستگاه تامین کننده:
63-VFBGA (9x11)
زمان دسترسی:
50 ثانیه
فرمت حافظه:
فلاش
وضعیت قطعه:
از کار افتاده
اندازه حافظه:
512 مگابایت (64 × 8 مگابایت)
بسته بندی:
سینی
@ تعداد:
0
دمای کار:
-40°C ~ 85°C (TA)
حداقل تعداد:
1260
رابط حافظه:
موازی
بسته بندی / کیس:
63-TFBGA
نوع نصب:
ارتفاع سطح
فرکانس ساعت:
-
ولتاژ - عرضه:
2.7 V ~ 3.6 V
سری:
-
تولید کننده:
فناوری میکرون
مقدمه
NAND512W3A2SZA6E، از Micron Technology، IC های حافظه هستند. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند، که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
محصولات مرتبط
MT40A512M8RH-083E:B
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
MT25QL256ABA8ESF-0SIT
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
M29W160EB70N6E
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
M29W320EB70N6E
IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
MT25QL128ABA1EW7-0SIT
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
MT48LC4M32B2TG-7:G
IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
M25P64-VMF6P
IC FLASH 64M SPI 50MHZ 16SO W
JS28F640J3D75A
IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP
JS28F128J3D75A
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
M25P16-VMN6TP
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
MT40A512M8RH-083E:B |
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
MT25QL256ABA8ESF-0SIT |
IC FLASH 256M SPI 133MHZ 16SOP2
|
|
|
|
M29W160EB70N6E |
IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP
|
|
|
|
M29W320EB70N6E |
IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP
|
|
|
|
MT25QL128ABA1EW7-0SIT |
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN
|
|
|
|
MT48LC4M32B2TG-7:G |
IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II
|
|
|
|
M25P64-VMF6P |
IC FLASH 64M SPI 50MHZ 16SO W
|
|
|
|
JS28F640J3D75A |
IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP
|
|
|
|
JS28F128J3D75A |
IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP
|
|
|
|
M25P16-VMN6TP |
IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SO
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: