TC58BVG0S3HTA00
سازنده:
توشیبا
توضیحات:
EEPROM 3.3 ولت، 1 گیگابیت CMOS NAND EEPROM
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
رده محصولات:
EEPROM
سازمان:
128 M x 8
اندازه حافظه:
1 گیگابیت
بسته بندی:
سینی
سری:
TC58BVG0S3
نوع رابط:
موازی
تولید کننده:
توشیبا
مقدمه
TC58BVG0S3HTA00، از توشیبا، EEPROM است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی، که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
محصولات مرتبط
TC58NVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NYG0S3HBAI6
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG2S0HTA00
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG1S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HBAI4
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG2S0HBAI4
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG0S3HTAI0
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58NVG1S3HTA00
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
TC58BVG1S3HTA00
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
TC58NVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NYG0S3HBAI6 |
EEPROM 1.8V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG2S0HTA00 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG2S0HBAI4 |
EEPROM 3.3V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG0S3HTAI0 |
EEPROM 3.3V, 1 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58NVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
|
|
|
TC58BVG1S3HTA00 |
EEPROM 3.3V, 2 Gbit CMOS NAND EEPROM
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: