IGP30N60H3
سازنده:
تکنولوژی های اینفینیون
توضیحات:
ترانزیستور IGBT 600V 30A 187W
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
جریان نشتی گیت-امیتر:
100 نانو آمپر
رده محصولات:
ترانزیستورهای IGBT
سبک نصب:
از طریق سوراخ
جریان جمع کننده پیوسته در 25 درجه سانتیگراد:
60 A
Pd - اتلاف نیرو:
187 W
کلکتور- ولتاژ امیتر VCEO Max:
600 V
بسته بندی / کیس:
TO-220-3
حداکثر دمای عملیاتی:
+ 175 درجه سانتیگراد
حداکثر ولتاژ امیتر گیت:
20 ولت
بسته بندی:
لوله
پیکربندی:
مجرد
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر:
1.95 V
تولید کننده:
تکنولوژی های اینفینیون
مقدمه
IGP30N60H3، از تکنالوژی های Infineon، ترانزیستورهای IGBT است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند، که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
Related Products
IKW20N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
IKA15N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
IHW30N160R2
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
AUIRG4PH50S
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
IKW20N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
|
|
|
|
IKA15N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
|
|
|
|
IHW30N160R2 |
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
|
|
|
|
AUIRG4PH50S |
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: