MMBT5550LT1G
سازنده:
واحد واحد
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
قطبیت ترانزیستور:
NPN
رده محصولات:
ترانزیستورهای دوقطبی - BJT
سبک نصب:
SMD/SMT
حداکثر جریان جمع کننده DC:
600 میلی آمپر
کلکتور- ولتاژ امیتر VCEO Max:
140 V
بسته بندی / کیس:
SOT-23-3
حداکثر دمای عملیاتی:
+ 150 درجه سانتیگراد
پیکربندی:
مجرد
کلکتور- ولتاژ پایه VCBO:
180 V
سری:
MMBT5550L
امیتر- ولتاژ پایه VEBO:
6 V
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر:
0.15 V
تولید کننده:
نصف
مقدمه
MMBT5550LT1G، از onsemi، ترانزیستورهای دوقطبی - BJT است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند، که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
محصولات مرتبط
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: