MMBTA56LT1G
سازنده:
واحد واحد
دسته بندی:
نیمه هادی ها
مشخصات
قطبیت ترانزیستور:
PNP
رده محصولات:
ترانزیستورهای دوقطبی - BJT
سبک نصب:
SMD/SMT
حداکثر جریان جمع کننده DC:
0.5 A
کلکتور- ولتاژ امیتر VCEO Max:
- 80 ولت
بسته بندی / کیس:
SOT-23-3
حداکثر دمای عملیاتی:
+ 150 درجه سانتیگراد
افزایش پهنای باند محصول fT:
50 مگاهرتز
پیکربندی:
مجرد
کلکتور- ولتاژ پایه VCBO:
- 80 ولت
سری:
MMBTA56L
امیتر- ولتاژ پایه VEBO:
4 V
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر:
- 0.25 V
تولید کننده:
نصف
مقدمه
MMBTA56LT1G، از onsemi،ترانزیستورهای دوقطبی - BJT است. آنچه ما ارائه می دهیم قیمت رقابتی در بازار جهانی دارند،که در قطعات اصلی و جدید هستند.اگر می خواهید اطلاعات بیشتری در مورد محصولات داشته باشید یا می خواهید قیمت کمتری داشته باشید، لطفاً از طریق چت آنلاین با ما تماس بگیرید یا یک پیشنهاد به ما بفرستید!
محصولات مرتبط
BC817-25LT1G
2SA1417S-TD-E
NJVMJD31CT4G
CPH3145-TL-E
NJW0281G
D45H8G
2SD1815S-TL-E
2SC5569-TD-E
2SA1708S-AN
MJD31CT4G
2SA2125-TD-E
MJD45H11T4G
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
BC817-25LT1G |
|
|
|
|
2SA1417S-TD-E |
|
|
|
|
NJVMJD31CT4G |
|
|
|
|
CPH3145-TL-E |
|
|
|
|
NJW0281G |
|
|
|
|
D45H8G |
|
|
|
|
2SD1815S-TL-E |
|
|
|
|
2SC5569-TD-E |
|
|
|
|
2SA1708S-AN |
|
|
|
|
MJD31CT4G |
|
|
|
|
2SA2125-TD-E |
|
|
|
|
MJD45H11T4G |
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: