MRF8P20140WHSR3
سازنده:
NXP USA Inc.
توضیحات:
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FET ها، ماسفت ها FET های RF، ماسفت ها
وضعیت محصول:
از کار افتاده
نوع نصب:
ارتفاع سطح
ولتاژ - نامی:
65 V
بسته بندی:
نوار و رول (TR)
پیکربندی:
دوگانه
سری:
-
شکل سر و صدا:
-
بسته دستگاه تامین کننده:
NI-780S-4L
ولتاژ - تست:
28 V
مفر:
NXP USA Inc.
فرکانس:
1.88 گیگاهرتز ~ 1.91 گیگاهرتز
سود:
16 دسی بل
بسته بندی / کیس:
NI-780S-4L
فعلی - تست:
500 میلی آمپر
توان خروجی:
24 وات
تکنولوژی:
LDMOS
رتبه فعلی (آمپر):
-
شماره محصول پایه:
MRF8P20140
مقدمه
RF Mosfet 28 V 500 mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 16dB 24W NI-780S-4L
Related Products
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
AFT21S230SR3 |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: