MRF6S19100HR3
سازنده:
NXP USA Inc.
توضیحات:
FET RF 68V 1.99GHZ NI-780
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته
مشخصات
دسته بندی:
محصولات نیمه هادی گسسته ترانزیستور FET ها، ماسفت ها FET های RF، ماسفت ها
وضعیت محصول:
از کار افتاده
نوع نصب:
پایه شاسی
ولتاژ - نامی:
68 V
بسته بندی:
نوار و رول (TR)
سری:
-
شکل سر و صدا:
-
بسته دستگاه تامین کننده:
NI-780H-2L
ولتاژ - تست:
28 V
مفر:
NXP USA Inc.
فرکانس:
1.99 گیگاهرتز
سود:
16.1 دسی بل
بسته بندی / کیس:
SOT-957A
فعلی - تست:
900 میلی آمپر
توان خروجی:
22 وات
تکنولوژی:
LDMOS
رتبه فعلی (آمپر):
-
شماره محصول پایه:
MRF6
مقدمه
RF Mosfet 28 V 900 mA 1.99GHz 16.1dB 22W NI-780H-2L
Related Products
| تصویر | قسمت # | توضیحات | |
|---|---|---|---|
|
|
AFT21S230SR3 |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6
|
ارسال RFQ
ذخایر:
مقدار تولیدی: